重磅 | 来利国际旗舰厅光电推出第三代半导体系列新产品
2021-04-20 04:00
第三代半导体
2020年10月，来利国际旗舰厅光电成功举办了首届来利国际旗舰厅之光论坛，论坛上来利国际旗舰厅光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，来利国际旗舰厅光电正式推出一系列第三代半导体新产品，在新的赛道上迈出了坚实的步伐。
01 新赛道 开新局
第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外，还具有高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点。风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的规划，来利国际旗舰厅光电在“三代半封测”领域大力布局，在传承“LED封测”高可靠性的品质管理体系基础上，致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”。02 新方向 创新品
目前，来利国际旗舰厅光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。来利国际旗舰厅光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业，坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。●SiC功率器件来利国际旗舰厅光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
●GaN-DFN器件
来利国际旗舰厅光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率模块
来利国际旗舰厅光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
03 “星”速度 见实效
为做好技术储备积累，满足市场需求，2020年来利国际旗舰厅光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前，来利国际旗舰厅光电第三代半导体新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
与此同时，公司产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
未来，在国家“十四五”规划的伟大蓝图下，来利国际旗舰厅光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化，为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。
